發(fā)布日期：2023-03-15 22:08 瀏覽次數(shù)：
1.1 范圍
GB/T 5959.1-2019的本條用以下內(nèi)容代替。
代替：
GB/T 5959的本部分規(guī)定了通常由紅外發(fā)射器產(chǎn)生的紅外輻射在裝置內(nèi)明顯超過熱對流和熱傳導(dǎo)，作為傳熱方式，向被處理材料傳遞能量的工業(yè)電熱設(shè)備和裝置的安全要求。范圍的進(jìn)一步限制是在空氣或真空中最大光譜輻射波長在780nm以上，且通過諸如熱輻射或高壓電弧發(fā)射寬波段連續(xù)光譜的紅外發(fā)射器。
GB/T 5959.1-2019將紅外定義為頻率范圍在大約400 THz～300 GHz之間的光學(xué)輻射。在真空中的對應(yīng)波長范圍在780nm～10μm。工業(yè)紅外加熱通常使用額定溫度在500℃～3000℃的紅外源，從這些紅外源發(fā)出的輻射主要位于780nm～10μm的波長范圍內(nèi)。
由于大量的熱發(fā)射器的發(fā)射波長可能低于780nm或高于3000 nm，所以本部分同樣考慮了可見光和波長超過3000nm的輻射的安全方面的問題。
本部分不適用于：
——以激光或發(fā)光二極管（LED）作為主要輻射源的紅外裝置-GB/T 20145-2006 及IEC 60825-1：2014［2］適用于此類裝置；
——公用電器用具；
——實(shí)驗(yàn)室用電器用具-IEC 61010-1：2010［3］適用于此類器具；
——電阻加熱裸導(dǎo)線、電熱管或電熱棒作為加熱元件，且紅外輻射并非預(yù)期應(yīng)用中占支配地位的副作用的電熱裝置，由GB 5959.4-2008［］規(guī)定；
——所有紅外發(fā)射器的標(biāo)稱總功率小于250 W的紅外加熱設(shè)備；
——手持紅外設(shè)備。
本部分范圍內(nèi)的工業(yè)紅外電熱設(shè)備通常利用焦耳效應(yīng)，通過一個(gè)或多個(gè)輻射源，將電能轉(zhuǎn)化為紅外輻射，然后從一個(gè)或多個(gè)元件將輻射發(fā)射到被處理的材料上。以下紅外加熱元件更是如此：
——內(nèi)部具有電阻元件的管狀、板狀或其他形狀的陶瓷熱紅外發(fā)射器；
——以高溫?zé)艚z作為輻射源的紅外石英玻璃管或鹵素?zé)舭l(fā)射器；
——由二硅化鉬、碳化硅、石墨、鐵鉻鋁合金、耐火金屬或類似材料制成的非絕緣元件；
——寬光譜電弧燈。
1.2 目的
GB/T 5959.1-2019的本條適用。
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。
除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。
增加：
GB/T 5959.1-2019 電熱和電磁處理裝置的安全 第1部分：通用要求（IEC 60519-1：2015，IDT)
除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。
補(bǔ)充：
3.1 一般概念
3.1.101
紅外輻射 infrared radiation
波長大于可見輻射波長的光學(xué)輻射。
注1：780nm～1mm范圍內(nèi)的紅外輻射通常分為：
IR-A：780nm～1400nm，或者表面溫度在3450℃～1800℃的灰體發(fā)射器；
IR-B：1 400 nm～3000 nm，或者表面溫度在1800℃～690℃的灰體發(fā)射器；
IR-C：3 000nm～1mm，或者表面溫度低于690℃的灰體發(fā)射器。
溫度與邊界波長下的最大強(qiáng)度光譜相對應(yīng)。
上述范圍與GB/T 20145-2006一致。
注2：在GB/T 2900.83-2008中定義了下列術(shù)語：
841-24-04：短波紅外輻射或近紅外輻射（780nm～2μm）；
841-24-03：中波紅外輻射或中紅外輻射（2μm～4μm）；
841-24-02：長波紅外輻射或遠(yuǎn)紅外輻射（4μm～1mm）．
本部分沒有采用這些術(shù)語。
［來源：GB/T 20145-2006,3.14，修改-修改了注1且增加了注2］
3.1.102
紅外加熱 infrared heating
由專門制造的設(shè)備發(fā)射，以吸收熱輻射和光輻射，大部分是紅外輻射形式進(jìn)行的加熱。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-05，修改-對定義進(jìn)行了編輯性改動］
3.2 設(shè)備和設(shè)備狀態(tài)
3.2.101
紅外裝置 infrared installation
紅外電熱裝置 infrared electroheating installation
利用紅外加熱完成工件處理的電熱裝置。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-09，修改-增加了另一個(gè)同義術(shù)語，縮短了定義］
3.2.102
紅外發(fā)射器 infrared emitter
發(fā)射紅外輻射的元件。
注：這種元件通常是可替換的。
3.2.103
紅外源 infrared source
通過焦耳效應(yīng)將電能轉(zhuǎn)換成熱或輻射的紅外發(fā)射器的一部分。
3.2.104
燈絲 filament
使電能在其中通過焦耳效應(yīng)轉(zhuǎn)換成熱能的紅外發(fā)射器的導(dǎo)線或線狀物。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-27，修改-定義變得明晰］
3.2.105
紅外陶瓷加熱器 infrared ceramic heater
由陶瓷材料制成或覆蓋的紅外發(fā)射器。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-13，修改-縮短了定義］
3.2.106
管狀紅外發(fā)射器 tubular infrared emitter
具有一種基本尺寸（長）的紅外發(fā)射器。
注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是直線型或彎曲的。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-24，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.107
板狀紅外發(fā)射器 infrared plate emitter
具有兩種基本尺寸（長，寬）的紅外發(fā)射器。
注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是平面或是曲面的。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-25，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.108
紅外石英發(fā)射器 infrared quartz emitter
紅外源在石英玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器。
注：由類似維克玻璃的硬質(zhì)玻璃制成的玻璃殼也包括在內(nèi)。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-26，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.109
鹵素?zé)舭l(fā)射器 halogen lamp emitter
鎢絲位于充有鹵素氣體的氣密性玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器，鹵素很活躍地將玻璃內(nèi)壁上的鎢轉(zhuǎn)移到鎢絲上。
注：鹵素?zé)舭l(fā)射器是典型的紅外石英發(fā)射器。
［來源：GB/T 2900.83-2008,841-24-22，修改-定義變得明晰，增加了注］
3.2.110
紅外反射器 infrared reflector
反射并對紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無源、非透射組件。
注：反射器可以是紅外發(fā)射器的一部分，可能進(jìn)行鏡反射或漫反射。
3.2.111
紅外折射器 infrared refractor
匯聚并對紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無源、透射組件。
注：折射器可以是紅外發(fā)射器的一部分。
3.2.112
紅外波長轉(zhuǎn)換器 infrared wavelength converter
在正常工作中被紅外輻射加熱到一定溫度的紅外裝置內(nèi)的元件，其自身發(fā)射的輻射參與工件的
加熱。
注：波長轉(zhuǎn)換器的光譜具有比紅外發(fā)射器的主輻射波長長很多的波長。
3.2.113
紅外模塊 infrared module
裝有一個(gè)或多個(gè)紅外發(fā)射器的組件。
注：這種模塊可以包括反射器、折射器、濾波器或其他保護(hù)發(fā)射器及冷卻裝置的措施。
3.2.114
額定溫度 rated temperature
紅外燈絲或紅外發(fā)射器在額定電壓下的最高表面溫度。
注1：該溫度被用來確定熱紅外發(fā)射器的光譜輻射。
注2：該溫度在正常工作條件下適用。
以上為標(biāo)準(zhǔn)部分內(nèi)容，如需看標(biāo)準(zhǔn)全文，請到相關(guān)授權(quán)網(wǎng)站購買標(biāo)準(zhǔn)正版。
